पॉलीप्रॉपिलीन स्नबर कॅपेसिटर उच्च व्होल्टेज, उच्च प्रवाह आणि उच्च नाडी अनुप्रयोगांमध्ये वापरले जातात

पॉलीप्रॉपिलीन स्नबर कॅपेसिटर उच्च व्होल्टेज, उच्च प्रवाह आणि उच्च नाडी अनुप्रयोगांमध्ये वापरलेले वैशिष्ट्यीकृत प्रतिमा

संक्षिप्त वर्णन:

अक्षीय स्नबर कॅपेसिटर SMJ-TE

स्नबर कॅपेसिटर हे अक्षीय टर्मिनलसह उच्च-वर्तमान, उच्च-फ्रिक्वेंसी कॅपेसिटर आहेत.Axial Film Capacitors CRE वर उपलब्ध आहेत.आम्ही एक्सियल फिल्म कॅपेसिटरसाठी इन्व्हेंटरी, किंमत आणि डेटाशीट ऑफर करतो.

1. ISO9001 आणि UL प्रमाणित;

2. विस्तृत यादी;

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF म्हणून डाउनलोड करा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

तांत्रिक माहिती

ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी	कमाल.ऑपरेटिंग तापमान., शीर्ष, कमाल: + 85℃ उच्च श्रेणी तापमान: +85℃ निम्न श्रेणी तापमान: -40℃
कॅपेसिटन्स श्रेणी	0.1μF～5.6μF
प्रस्थापित दराचा विद्युतदाब	630V.DC～2000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
व्होल्टेजचा सामना करा	1.5Un DC/10S
अपव्यय घटक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिकार	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S वर)
स्ट्राइक करंटचा सामना करा
आयुर्मान	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
संदर्भ मानक	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

अर्ज

1. IGBT स्नबर, GTO स्नबर

2. स्नबरचे मूलभूत कार्य पॉवर सर्किटमधील अभिक्रियांमधून ऊर्जा शोषून घेणे आहे.

3. पीक व्होल्टेज, पीक वर्तमान शोषण संरक्षण तेव्हा पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.

बाह्यरेखा रेखाचित्र

SMJ-TE अक्षीय कॅपेसिटर
विद्युतदाब		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	९.५	१७.५	०.८	16	23	300	66	५.३
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	६.५
०.४७	32	१४.५	22.5	1	11	21	220	१०३.४	८.३
०.६८	32	18	26	1	10	20	180	१२२.४	९.५
1	37	11	19	1	8	28	150	150	७.६
1.5	37	१३.५	२१.५	1	7	27	150	225	९.५
2	37	16	24	१.२	6	24	130	260	१०.२
2.5	37	18	26	१.२	५.५	25	120	300	१०.५
3	37	20	28	१.२	5	30	110	३३०	१०.८
३.३	37	21	29	१.२	४.५	30	110	३६३	11.2
4	57	27	३६.५	१.२	४.२	32	220	८८०	१२.८
४.७	57	28	40.5	१.२	३.८	32	200	९४०	१३.८
५.६	57	31	३३.५	१.२	३.५	32	१८५	1036	१३.५
६.८	37	29	४१.५	१.२	2.5	28	100	६८०	१३.८
६.८	57	34	४६.५	१.२	२.८	30	180	१२२४	१४.२
विद्युतदाब		अन 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	१७.५	०.८	20	20	1100	१६५	५.५
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	७.३
0.33	32	१५.५	23	1	13	21	1000	३३०	८.७
०.४७	32	१८.५	26	१.२	10	23	1000	४७०	१०.५
०.४७	44	14	22	१.२	9	24	९००	४२३	९.५
०.६८	32	20	३२.५	१.२	7	25	९००	६१२	१०.८
०.६८	44	17	25	१.२	6	26	800	५४४	१०.२
1	44	२१.५	29.5	१.२	५.६	27	९००	९००	11
1.5	44	26	35.5	१.२	5	29	९००	1350	12
1.5	57	21	29	१.२	5	30	७००	1050	१२.२
2	44	28	40.5	१.२	४.८	30	800	१६००	१३.२
2	57	24	३३.५	१.२	४.८	32	600	१२००	१२.८
२.२	44	30	४२.५	१.२	४.२	32	600	1320	१३.८
२.२	57	25	३४.५	१.२	४.२	32	५००	1100	१३.५
2.5	57	25	38	१.२	4	33	५००	१२५०	१४.२
3	57	28	40.5	१.२	३.५	34	४८०	1440	१५.६
३.३	57	29.5	42	१.२	३.२	35	४५०	१४८५	१६.५
३.५	57	३०.५	43	१.२	३.२	35	४५०	१५७५	१७.२
४.७	57	35	५०.५	१.२	3	36	420	1974	१७.८
५.६	57	३८.५	65	१.२	२.८	38	400	2240	१८.२
विद्युतदाब		अन 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१	32	८.५	16	०.८	20	20	१३००	130	6
0.15	32	10	१७.५	1	18	20	१२००	180	७.५
0.22	32	13	21	1	15	22	१२००	२६४	८.३
0.33	32	16	24	1	12	23	१२००	३९६	9
०.४७	32	१७.५	30	१.२	10	23	१२००	५६४	९.५
०.४७	44	15	23	१.२	9	26	1100	५१७	९.८
०.६८	32	२१.५	34	१.२	8	25	1100	५१७	10
०.६८	44	१८.५	२६.५	१.२	6	27	1000	६८०	११.७
1	44	23	31	१.२	5	28	1000	1000	१२.४
1.5	44	२६.५	39	१.२	5	30	९५०	1425	१३.५
1.5	57	22.5	३०.५	१.२	5	29	९००	1350	१२.६
2	44	29	45	१.२	5	30	800	१६००	१४.२
2	57	२६.५	३४.५	१.२	४.८	30	७५०	१५००	१३.८
२.२	44	31	47	१.२	४.२	32	800	१७६०	१४.५
२.२	57	२७.५	35.5	१.२	४.२	35	७००	१५४०	१४.५
3	57	29	४४.५	१.२	३.२	37	५००	१५००	१७.२
३.३	57	३०.५	46	१.२	३.२	38	४५०	१४८५	१७.८
४.७	57	38	५३.५	१.२	3	38	420	1974	१८.२
विद्युतदाब		अन 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१	32	९.५	१७.५	०.८	18	25	१३००	130	७.५
0.15	32	12	20	1	16	24	१२००	180	८.५
0.22	32	15	23	1	15	24	१२००	२६४	९.३
0.33	32	१८.५	२६.५	1	12	22	१२००	३९६	९.९
0.33	44	१३.५	२१.५	१.२	12	29	1100	३६३	१०.२
०.४७	44	16	24	१.२	9	28	1000	४७०	11.2
०.६८	44	20	28	१.२	8	27	1000	६८०	११.७
1	44	24	३३.५	१.२	५.६	26	९००	९००	१२.४
1	57	१९.५	२७.५	१.२	6	33	८५०	८५०	१०.८
1.5	44	28	40.5	१.२	४.८	25	800	१२००	१३.५
1.5	57	24	32	१.२	5	33	७५०	११२५	१३.५
2	44	३१.५	47	१.२	४.५	24	७५०	१५००	१४.२
2	57	२७.५	37	१.२	४.८	32	६५०	१३००	१२.८
२.२	44	३३.५	49	१.२	४.५	34	७००	१५४०	१५.६
२.२	57	29	40	१.२	४.२	32	600	1320	१४.५
3	57	31	४६.५	१.२	4	30	५६०	१६८०	१७.२
३.३	57	33	४८.५	१.२	३.२	29	५००	१६५०	१७.६
4	57	37	५२.५	१.२	3	28	४५०	१८००	१८.२
विद्युतदाब		अन 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०६८	32	9	17	०.८	25	23	१५००	102	६.९
०.१	32	11.5	१९.५	1	18	22	१५००	150	८.२
०.१	37	१०.५	१८.५	1	18	26	१४५०	145	8
0.22	32	१७.५	२५.५	१.२	15	21	1400	308	९.१
0.22	37	16	24	१.२	15	25	१३००	२८६	9
0.33	37	20	28	१.२	12	24	१२५०	४१२.५	९.५
0.33	44	18	26	१.२	12	30	१२००	३९६	१०.२
०.४७	44	१९.५	32	१.२	10	29	1100	५१७	१२.४
०.६८	44	24	३६.५	१.२	8	28	1000	६८०	१४.२
०.६८	57	१८.५	31	१.२	8	27	९००	६१२	१४.२
1	57	२३.५	36	१.२	6	31	९५०	९५०	१४.५
1.5	57	29.5	42	१.२	5	31	८५०	१२७५	१४.५
2	57	33	४८.५	१.२	४.२	31	७५०	१५००	१६.५
२.२	57	35	५०.५	१.२	4	30	७००	१५४०	१७.८
विद्युतदाब		अन 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०४७	44	१३.५	२१.५	1	22	20	2000	94	८.५
०.०६८	44	17	25	1	20	20	१८००	१२२.४	१०.५
०.१	44	२०.५	२८.५	१.२	18	20	१५००	150	१२.४
0.15	44	26	34	१.२	16	22	1350	२०२.५	१३.८
0.22	44	29	४१.५	१.२	१४.५	22	१२००	२६४	१४.५