• bbb

पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये जीटीओ स्नबर कॅपेसिटर

संक्षिप्त वर्णन:

स्विचिंग सर्किटमध्ये वापरल्या जाणार्‍या डायोडसाठी स्नबर सर्किट आवश्यक आहेत.हे ओव्हरव्होल्टेज स्पाइक्सपासून डायोड वाचवू शकते, जे उलट पुनर्प्राप्ती प्रक्रियेदरम्यान उद्भवू शकते.


उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

तांत्रिक माहिती

ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी कमाल.ऑपरेटिंग तापमान., शीर्ष, कमाल: + 85℃ उच्च श्रेणी तापमान: +85℃ निम्न श्रेणी तापमान: -40℃
कॅपेसिटन्स श्रेणी

0.22~3μF

प्रस्थापित दराचा विद्युतदाब

3000V.DC~10000V.DC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

व्होल्टेजचा सामना करा

1.35Un DC/10S

अपव्यय घटक

tgδ≤0.001 f=1KHz

इन्सुलेशन प्रतिकार

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S वर)

स्ट्राइक करंटचा सामना करा

डेटाशीट पहा

आयुर्मान

100000h(Un; Θhotspot≤70°C)

संदर्भ मानक

IEC 61071 ;

वैशिष्ट्य

1. Mylar टेप, राळ सह सीलबंद;

2. कॉपर नट लीड्स;

3. उच्च व्होल्टेजचा प्रतिकार, कमी tgδ, कमी तापमान वाढ;

4. कमी ESL आणि ESR;

5. उच्च नाडी प्रवाह.

अर्ज

1. GTO स्नबर.

2. पीक व्होल्टेज, पीक वर्तमान शोषण संरक्षण तेव्हा पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.

ठराविक सर्किट

१

बाह्यरेखा रेखाचित्र

2

तपशील

अन=3000V.DC

कॅपेसिटन्स (μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

L1(मिमी)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

1000

३३०

35

०.४७

51

44

52

22

८५०

399

45

०.६८

61

44

52

22

800

५४४

55

74

44

52

20

७००

७००

65

१.२

80

44

52

20

६५०

७८०

75

1.5

52

70

84

30

600

९००

45

२.०

60

70

84

30

५००

1000

55

३.०

73

70

84

30

400

१२००

65

४.०

83

70

84

30

३५०

1400

70

अन=6000V.DC

कॅपेसिटन्स (μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

L1(मिमी)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

43

60

72

25

१५००

३३०

35

0.33

52

60

72

25

१२००

३९६

45

०.४७

62

60

72

25

1000

४७०

50

०.६८

74

60

72

22

९००

६१२

60

90

60

72

22

800

९००

75

 

अन=7000V.DC

कॅपेसिटन्स (μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

L1(मिमी)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

०.६८

36

80

92

28

1000

६८०

25

१.०

43

80

92

28

८५०

८५०

30

1.5

52

80

92

25

800

१२००

35

१.८

57

80

92

25

७००

१२६०

40

२.०

60

80

92

23

६५०

१३००

45

३.०

73

80

92

22

५००

१५००

50

 

अन=8000V.DC

कॅपेसिटन्स (μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

L1(मिमी)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

35

90

102

30

1100

३६३

25

०.४७

41

90

102

28

1000

४७०

30

०.६८

49

90

102

28

८५०

५७८

35

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

७००

1050

45

२.०

83

90

102

25

६५०

१३००

50

 

अन=10000V.DC

कॅपेसिटन्स (μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

L1(मिमी)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

45

114

123

35

१५००

४९५

30

०.४७

54

114

123

35

१३००

611

35

०.६८

65

114

123

35

१२००

816

40

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

१२००

70


  • मागील:
  • पुढे:

  • तुमचा संदेश आम्हाला पाठवा:

    तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा

    तुमचा संदेश आम्हाला पाठवा: