पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये GTO स्नबर कपॅसिटर
तांत्रिक डेटा
| कार्यरत तापमान श्रेणी | कमाल कार्यकारी तापमान, वरचे, कमाल: + ८५℃ वरच्या श्रेणीचे तापमान: +८५℃ खालच्या श्रेणीचे तापमान: -४०℃ |
| धारकता श्रेणी | ०.२२～३μF |
| रेटेड व्होल्टेज | ३०००V.DC～१००००V.DC |
| कॅप.टोल | ±५%(जे) ;±१०%(के) |
| व्होल्टेज सहन करणे | १.३५Un DC/१०S |
| अपव्यय घटक | tgδ≤0.001 f=1KHz |
| इन्सुलेशन प्रतिरोध | C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S वर) |
| आघात प्रवाहाचा सामना करा | डेटाशीट पहा |
| आयुर्मान | 100000h(Un; Θhotspot≤70°C) |
| संदर्भ मानक | आयईसी ६१०७१ ; |
वैशिष्ट्य
१. मायलार टेप, रेझिनने सील केलेला;
२. तांब्याच्या नटाच्या तारा;
३. उच्च व्होल्टेजला प्रतिकार, कमी tgδ, कमी तापमान वाढ;
४. कमी ESL आणि ESR;
५. उच्च स्पंद प्रवाह.
अर्ज
१. जीटीओ स्नबर.
२. पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये पीक व्होल्टेज आणि पीक करंट शोषून घेण्याच्या संरक्षणासाठी मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.
ठराविक सर्किट
बाह्यरेखा रेखाचित्र
तपशील
| Un=3000V.DC | |||||||
| धारकता (μF) | φD (मिमी) | एल (मिमी) | एल१ (मिमी) | ईएसएल(एनएच) | dv/dt(V/μS) | आयपीके(ए) | इर्म्स(ए) |
| ०.२२ | 35 | 44 | 52 | 25 | ११०० | २४२ | 30 |
| ०.३३ | 43 | 44 | 52 | 25 | १००० | ३३० | 35 |
| ०.४७ | 51 | 44 | 52 | 22 | ८५० | ३९९ | 45 |
| ०.६८ | 61 | 44 | 52 | 22 | ८०० | ५४४ | 55 |
| १ | 74 | 44 | 52 | 20 | ७०० | ७०० | 65 |
| १.२ | 80 | 44 | 52 | 20 | ६५० | ७८० | 75 |
| १.५ | 52 | 70 | 84 | 30 | ६०० | ९०० | 45 |
| २.० | 60 | 70 | 84 | 30 | ५०० | १००० | 55 |
| ३.० | 73 | 70 | 84 | 30 | ४०० | १२०० | 65 |
| ४.० | 83 | 70 | 84 | 30 | ३५० | १४०० | 70 |
| Un=6000V.DC | |||||||
| धारकता (μF) | φD (मिमी) | एल (मिमी) | एल१ (मिमी) | ईएसएल(एनएच) | dv/dt(V/μS) | आयपीके(ए) | इर्म्स(ए) |
| ०.२२ | 43 | 60 | 72 | 25 | १५०० | ३३० | 35 |
| ०.३३ | 52 | 60 | 72 | 25 | १२०० | ३९६ | 45 |
| ०.४७ | 62 | 60 | 72 | 25 | १००० | ४७० | 50 |
| ०.६८ | 74 | 60 | 72 | 22 | ९०० | ६१२ | 60 |
| १ | 90 | 60 | 72 | 22 | ८०० | ९०० | 75 |
| Un=7000V.DC | |||||||
| धारकता (μF) | φD (मिमी) | एल (मिमी) | एल१ (मिमी) | ईएसएल(एनएच) | dv/dt(V/μS) | आयपीके(ए) | इर्म्स(ए) |
| ०.२२ | 45 | 57 | 72 | 25 | ११०० | २४२ | 30 |
| ०.६८ | 36 | 80 | 92 | 28 | १००० | ६८० | 25 |
| १.० | 43 | 80 | 92 | 28 | ८५० | ८५० | 30 |
| १.५ | 52 | 80 | 92 | 25 | ८०० | १२०० | 35 |
| १.८ | 57 | 80 | 92 | 25 | ७०० | १२६० | 40 |
| २.० | 60 | 80 | 92 | 23 | ६५० | १३०० | 45 |
| ३.० | 73 | 80 | 92 | 22 | ५०० | १५०० | 50 |
| Un=8000V.DC | |||||||
| धारकता (μF) | φD (मिमी) | एल (मिमी) | एल१ (मिमी) | ईएसएल(एनएच) | dv/dt(V/μS) | आयपीके(ए) | इर्म्स(ए) |
| ०.३३ | 35 | 90 | १०२ | 30 | ११०० | ३६३ | 25 |
| ०.४७ | 41 | 90 | १०२ | 28 | १००० | ४७० | 30 |
| ०.६८ | 49 | 90 | १०२ | 28 | ८५० | ५७८ | 35 |
| १ | 60 | 90 | १०२ | 25 | ८०० | ८०० | 40 |
| १.५ | 72 | 90 | १०२ | 25 | ७०० | १०५० | 45 |
| २.० | 83 | 90 | १०२ | 25 | ६५० | १३०० | 50 |
| Un=10000V.DC | |||||||
| धारकता (μF) | φD (मिमी) | एल (मिमी) | एल१ (मिमी) | ईएसएल(एनएच) | dv/dt(V/μS) | आयपीके(ए) | इर्म्स(ए) |
| ०.३३ | 45 | ११४ | १२३ | 35 | १५०० | ४९५ | 30 |
| ०.४७ | 54 | ११४ | १२३ | 35 | १३०० | ६११ | 35 |
| ०.६८ | 65 | ११४ | १२३ | 35 | १२०० | ८१६ | 40 |
| १ | 78 | ११४ | १२३ | 30 | १००० | १००० | 55 |
| १.५ | 95 | ११४ | १२३ | 30 | ८०० | १२०० | 70 |
