• बीबीबी

उच्च शक्तीच्या थायरिस्टरसाठी फॅक्टरीमध्ये बनवलेला सर्वाधिक विकला जाणारा स्नबर - उच्च शक्तीच्या अनुप्रयोगांसाठी उच्च-श्रेणीचे IGBT स्नबर कपॅसिटर डिझाइन – CRE

संक्षिप्त वर्णन:


उत्पादनाचा तपशील

उत्पादन टॅग

संबंधित व्हिडिओ

अभिप्राय (2)

"गुणवत्ता प्रथम; सेवा सर्वोच्च; व्यवसाय म्हणजे सहकार्य" हे आमचे व्यावसायिक तत्त्वज्ञान आहे, ज्याचे आमच्या कंपनीकडून सातत्याने पालन केले जाते.एसी फिल्टर पॉवर इलेक्ट्रॉनिक कपॅसिटर, डीसी पॉवर फिल्म कपॅसिटर , ईपीएस ॲप्लिकेशनसाठी एसी फिल्टरनजीकच्या भविष्यात तुमच्यासोबत काही समाधानकारक संबंध प्रस्थापित करण्याची आम्हाला मनापासून आशा आहे. आम्ही तुम्हाला आमच्या प्रगतीबद्दल माहिती देत ​​राहू आणि तुमच्यासोबत स्थिर व्यावसायिक संबंध निर्माण करण्यास उत्सुक आहोत.
उच्च शक्तीच्या थायरिस्टरसाठी फॅक्टरीमध्ये बनवलेला सर्वाधिक विकला जाणारा स्नबर - उच्च शक्तीच्या अनुप्रयोगांसाठी उच्च-श्रेणीचे IGBT स्नबर कपॅसिटर डिझाइन – CRE तपशील:

तांत्रिक डेटा

कार्यरत तापमान श्रेणी कमाल कार्यकारी तापमान, वरचे कमाल: +१०५℃

उच्च श्रेणीतील तापमान: +८५℃

खालच्या श्रेणीतील तापमान: -४०℃

धारकता श्रेणी ०.१μF~५.६μF
रेटेड व्होल्टेज ७००V.DC~३०००V.DC
कॅप.टोल ±५%(जे); ±१०%(के)
व्होल्टेज सहन करणे १.५अन डीसी/१०एस
अपव्यय घटक tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

इन्सुलेशन प्रतिरोध

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर)

C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)

आघात प्रवाहाचा सामना करा

डेटाशीट पहा

ज्वाला मंदन

UL94V-0

आयुर्मान

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

संदर्भ मानक

आयईसी६१०७१; जीबी/टी१७७०२;

तपशील सारणी

व्होल्टेज Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
परिमाण (मिमी)
Cn(μF) एल(±१) टी(±1) एच(±1) ESR @100KHz (mΩ) ईएसएल(एनएच) dv/dt (V/μS) आयपीके(ए) Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 12 25 ५०० २३५ 8
०.६८ ४२.५ २४.५ २७.५ 10 25 ४८० ३२६.४ 10
1 ४२.५ २४.५ २७.५ 8 24 ४५० ४५० 12
१.५ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 7 25 ४३० ६४५ 5
2 ४२.५ 33 ३५.५ 6 24 ४२० ८४० 15
२.५ ४२.५ 33 45 6 23 ४०० १००० 18
3 ४२.५ 33 45 ५.५ 22 ३८० ११४० 20
3 ५७.५ 30 45 5 26 ३५० १०५० 22
३.५ ४२.५ 33 45 5 23 ३५० १२२५ 25
३.५ ५७.५ 30 45 6 25 ३०० १०५० 22
४.७ ५७.५ 35 50 5 28 २८० १३१६ 25
५.६ ५७.५ 38 54 4 30 २५० १४०० 25
6 ५७.५ 38 54 ३.५ 33 २३० १३८० 28
६.८ ५७.५ ४२.५ 56 ३.२ 32 २२० १४९६ 32
8 ५७.५ ४२.५ 56 २.८ 30 २०० १६०० 33
व्होल्टेज Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
परिमाण (मिमी)
Cn(μF) एल(±१) टी(±1) एच(±1) ESR(mΩ) ईएसएल(एनएच) dv/dt(V/μS) आयपीके(ए) आयआरएम्स
०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 11 25 १००० ४७० 10
०.६८ ४२.५ २४.५ २७.५ 8 25 ८०० ५४४ 12
1 ४२.५ ३३.५ ३५.५ 6 24 ८०० ८०० 15
१.५ ४२.५ 33 45 6 24 ७०० १०५० 15
2 ४२.५ 33 45 5 22 ७०० १४०० 20
२.५ ५७.५ 30 45 5 30 ६०० १५०० 22
3 ५७.५ 35 50 4 30 ६०० १८०० 25
३.३ ५७.५ 35 50 ३.५ 28 ५५० १८१५ 25
३.५ ५७.५ 38 54 ३.५ 28 ५०० १७५० 25
4 ५७.५ 38 54 ३.२ 26 ५०० २००० 28
४.७ ५७.५ ४२.५ 56 3 25 ४२० १९७४ 30
५.६ ५७.५ ४२.५ 56 २.८ 24 ४०० २२४० 32
व्होल्टेज Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) एल(±१) टी(±1) एच(±1) ESR(mΩ) ईएसएल(एनएच) dv/dt(V/μS) आयपीके(ए) आयआरएम्स
०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 11 24 १२०० ५६४ 10
०.६८ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 7 23 ११०० ७४८ 12
1 ४२.५ ३३.५ ३५.५ 6 22 ८०० ८०० 14
१.५ ४२.५ 33 45 5 20 ८०० १२०० 15
2 ५७.५ 30 45 4 30 ७५० १५०० 20
२.५ ५७.५ 35 50 4 28 ७०० १७५० 25
3 ५७.५ 35 50 4 27 ६०० १८०० 25
३.३ ५७.५ 38 54 4 27 ५५० १८१५ 28
३.५ ५७.५ 38 54 ३.५ 25 ५०० १७५० 28
4 ५७.५ ४२.५ 56 ३.५ 25 ४५० १८०० 30
४.७ ५७.५ ४२.५ 56 ३.२ 23 ४२० १९७४ 32
व्होल्टेज Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) एल(±१) टी(±1) एच(±1) ESR(mΩ) ईएसएल(एनएच) dv/dt(V/μS) आयपीके(ए) आयआरएम्स
०.३३ ४२.५ २४.५ २७.५ 12 25 १३०० ४२९ 9
०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 10 24 १३०० ६११ 10
०.६८ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 8 23 १३०० ८८४ 12
1 ४२.५ 33 45 7 22 १२०० १२०० 15
१.५ ४२.५ 33 45 6 22 १२०० १८०० 18
१.५ ५७.५ 30 45 5 31 १२०० १८०० 20
2 ५७.५ 30 45 5 30 ११०० २२०० 22
२.५ ५७.५ 35 50 4 28 ११०० २७५० 25
3 ५७.५ 38 54 4 27 ७०० २१०० 25
३.३ ५७.५ 38 54 ३.८ 26 ६०० १९८० 28
३.५ ५७.५ ४२.५ 56 ३.५ 25 ५०० १७५० 30
4 ५७.५ ४२.५ 56 ३.२ 25 ४५० १८०० 32
व्होल्टेज Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) एल(±१) टी(±1) एच(±1) ESR(mΩ) ईएसएल(एनएच) dv/dt(V/μS) आयपीके(ए) आयआरएम्स
०.२२ ४२.५ २४.५ २७.५ 15 25 १५०० ३३० 10
०.३३ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 12 24 १५०० ४९५ 12
०.४७ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 11 23 १४०० ६५८ 15
०.६८ ४२.५ 33 45 8 22 १२०० ८१६ 18
०.६८ ५७.५ 30 45 7 30 ११०० ७४८ 20
०.८२ ४२.५ 33 45 7 28 १२०० ९८४ 22
1 ५७.५ 30 45 6 28 ११०० ११०० 25
१.५ ५७.५ 35 50 5 25 १००० १५०० 28
2 ५७.५ 38 54 5 24 ८०० १६०० 28
२.२ ५७.५ ४२.५ 56 4 23 ७०० १५४० 32
व्होल्टेज Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) एल(±१) टी(±1) एच(±1) ESR(mΩ) ईएसएल(एनएच) dv/dt(V/μS) आयपीके(ए) आयआरएम्स
०.१५ ४२.५ 33 45 18 28 २५०० ३७५ 25
०.२२ ४२.५ 33 45 15 27 २२०० ४८४ 28
०.२२ ५७.५ 35 50 15 25 २००० ३३० 20
०.३३ ५७.५ 35 50 12 24 १८०० ४९५ 20
०.४७ ५७.५ 38 54 11 23 १६०० ७५२ 22
०.६८ ५७.५ ४२.५ 56 8 22 १५०० १०२० 28

उत्पादनाच्या तपशीलवार चित्रांसाठी:

उच्च शक्तीच्या थायरिस्टरसाठी फॅक्टरीमध्ये बनवलेला सर्वाधिक विकला जाणारा स्नबर - उच्च शक्तीच्या अनुप्रयोगांसाठी उच्च-श्रेणीचे IGBT स्नबर कपॅसिटर डिझाइन – CRE तपशीलवार चित्रे

उच्च शक्तीच्या थायरिस्टरसाठी फॅक्टरीमध्ये बनवलेला सर्वाधिक विकला जाणारा स्नबर - उच्च शक्तीच्या अनुप्रयोगांसाठी उच्च-श्रेणीचे IGBT स्नबर कपॅसिटर डिझाइन – CRE तपशीलवार चित्रे

उच्च शक्तीच्या थायरिस्टरसाठी फॅक्टरीमध्ये बनवलेला सर्वाधिक विकला जाणारा स्नबर - उच्च शक्तीच्या अनुप्रयोगांसाठी उच्च-श्रेणीचे IGBT स्नबर कपॅसिटर डिझाइन – CRE तपशीलवार चित्रे

उच्च शक्तीच्या थायरिस्टरसाठी फॅक्टरीमध्ये बनवलेला सर्वाधिक विकला जाणारा स्नबर - उच्च शक्तीच्या अनुप्रयोगांसाठी उच्च-श्रेणीचे IGBT स्नबर कपॅसिटर डिझाइन – CRE तपशीलवार चित्रे


संबंधित उत्पादन मार्गदर्शिका:

गेल्या काही वर्षांत, आमच्या कंपनीने देश-विदेशातील प्रगत तंत्रज्ञान आत्मसात केले आहे. त्याचबरोबर, आमच्या कंपनीत 'फॅक्टरी मेड हॉट-सेल स्नबर फॉर हाय पॉवर्ड थायरिस्टर - हाय-क्लास आयजीबीटी स्नबर कपॅसिटर डिझाइन फॉर हाय पॉवर ॲप्लिकेशन्स – सीआरई' या उत्पादनाच्या विकासासाठी समर्पित तज्ञांची एक टीम आहे. हे उत्पादन इराक, मोनॅको, सर्बिया यांसारख्या जगभरातील देशांना पुरवले जाईल. आमच्या उद्योगात अग्रगण्य स्थान टिकवून ठेवण्यासाठी, आम्ही आदर्श उत्पादने तयार करण्याकरिता सर्व बाबतीत मर्यादांना आव्हान देणे कधीही थांबवत नाही. अशा प्रकारे, आम्ही आमची जीवनशैली समृद्ध करू शकतो आणि जागतिक समुदायासाठी एक चांगले राहणीमान वातावरण निर्माण करू शकतो.
  • कंपनी आमच्यासारखाच विचार करू शकते, आमच्या हितासाठी तातडीने कृती करते, यावरून म्हणता येईल की ही एक जबाबदार कंपनी आहे, आमचे सहकार्य आनंददायी ठरले! ५ तारे एल्सा, ट्युनिशिया येथून - २०१८.०६.०३ १०:१७
    आम्ही दीर्घकालीन भागीदार आहोत, प्रत्येक वेळी निराशा होत नाही, भविष्यातही ही मैत्री अशीच टिकून राहील अशी आशा आहे! ५ तारे ह्यूस्टन येथील मार्गारेट यांच्याकडून - २१.०२.२०१८, १२:१४

    तुमचा संदेश आम्हाला पाठवा:

    तुमचा संदेश येथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा.

    तुमचा संदेश आम्हाला पाठवा: