उच्च पॉवर थायरिस्टरसाठी फॅक्टरी बनवलेले हॉट-सेल स्नबर - उच्च पॉवर ऍप्लिकेशन्ससाठी उच्च-श्रेणी IGBT स्नबर कॅपेसिटर डिझाइन - CRE

हाय पॉवर थायरिस्टरसाठी फॅक्टरी बनवलेले हॉट-सेल स्नबर - हाय-क्लास आयजीबीटी स्नबर कॅपेसिटर डिझाइन हाय पॉवर ॲप्लिकेशन्ससाठी - CRE वैशिष्ट्यीकृत प्रतिमा

संक्षिप्त वर्णन:

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF म्हणून डाउनलोड करा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

अभिप्राय (2)

उत्पादनाच्या सर्व टप्प्यांवर आमच्या सुसज्ज सुविधा आणि अपवादात्मक चांगल्या दर्जाचे व्यवस्थापन आम्हाला ग्राहकांच्या एकूण समाधानाची हमी देण्यास सक्षम करतेवेल्डिंग इन्व्हर्टर डीसी लिंक कॅपेसिटर , Abb इन्व्हर्टरसाठी फिल्म कॅपेसिटर , इलेक्ट्रॉनिक कॅपेसिटर, म्हणून, आम्ही वेगवेगळ्या क्लायंटकडून वेगवेगळ्या चौकशी पूर्ण करू शकतो.आमच्या उत्पादनांमधून अधिक माहिती तपासण्यासाठी कृपया आमची वेबसाइट शोधा.

उच्च पॉवर थायरिस्टरसाठी फॅक्टरी बनवलेले हॉट-सेल स्नबर - उच्च पॉवर ॲप्लिकेशन्ससाठी उच्च श्रेणीचे IGBT स्नबर कॅपेसिटर डिझाइन - CRE तपशील:

तांत्रिक माहिती

ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी	कमाल.ऑपरेटिंग तापमान.,शीर्ष, कमाल: +105℃ उच्च श्रेणी तापमान: +85℃ निम्न श्रेणी तापमान: -40℃
कॅपेसिटन्स श्रेणी	0.1μF～5.6μF
प्रस्थापित दराचा विद्युतदाब	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
व्होल्टेजचा सामना करा	1.5Un DC/10S
अपव्यय घटक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिकार	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S वर)
स्ट्राइक करंटचा सामना करा	डेटाशीट पहा
ज्योत मंदता	UL94V-0
आयुर्मान	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
संदर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

तपशील सारणी

विद्युतदाब	अन 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आकारमान (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	235	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
1.5	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	420	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	400	1000	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	1140	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	1050	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	300	1050	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	1316	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	250	1400	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	1496	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	200	१६००	33
विद्युतदाब	अन 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आकारमान (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	1000	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	800	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	800	800	15
1.5	४२.५	33	45	6	24	७००	1050	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	1400	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	600	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	600	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	2000	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	420	1974	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	400	2240	32
विद्युतदाब	अन 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	1100	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	800	800	14
1.5	४२.५	33	45	5	20	800	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	600	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	420	1974	32
विद्युतदाब	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.33	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	611	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
1.5	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
1.5	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	1100	2200	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	1100	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	2100	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	600	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
विद्युतदाब	अन 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.22	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
0.33	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	1400	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	1100	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	५७.५	35	50	5	25	1000	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	800	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
विद्युतदाब	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.15	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
0.22	४२.५	33	45	15	27	2200	४८४	28
0.22	५७.५	35	50	15	25	2000	३३०	20
0.33	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	752	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन तपशील चित्रे:

संबंधित उत्पादन मार्गदर्शक:

आमचा हेतू सामान्यतः आमच्या खरेदीदारांना गोल्डन प्रदाता, उत्तम दर आणि उच्च पॉवर थायरिस्टरसाठी फॅक्टरी बनवलेल्या हॉट-सेल स्नबरसाठी उत्तम दर्जाची ऑफर देण्याचा असतो - उच्च पॉवर ॲप्लिकेशन्ससाठी उच्च-श्रेणीचा IGBT स्नबर कॅपेसिटर डिझाइन - CRE , उत्पादन सर्वांना पुरवठा करेल. जगभरात, जसे की: मोनॅको, पोर्तुगाल, मॉन्ट्रियल, आमच्याकडे 20 हून अधिक देशांतील ग्राहक आहेत आणि आमची प्रतिष्ठा आमच्या आदरणीय ग्राहकांनी ओळखली आहे.कधीही न संपणारी सुधारणा आणि 0% कमतरतेसाठी प्रयत्न करणे ही आमची दोन मुख्य गुणवत्ता धोरणे आहेत.तुम्हाला काहीही हवे असल्यास, आमच्याशी संपर्क साधण्यास अजिबात संकोच करू नका.

एसी फिल्टर रेल्वे ट्रॅक्शन पॉवर सिस्टमसाठी वापरले जाते

औद्योगिक इन्व्हर्टरसाठी डीसी-लिंक कॅपेसिटर

ड्राय टाईप फिल्म कॅपेसिटर

फिल्म कॅपेसिटर फॅक्टरी

फिल्म कॅपेसिटर निर्माता

ग्लोबल कॅपेसिटर पुरवठादार

उच्च ऊर्जा स्टोरेज कॅपेसिटर

Igbt Snubber

मध्यम फ्रिक्वेन्सी फर्नेस रेझोनंट कॅपेसिटर

डीसी लिंकसाठी पॉवर कॅपेसिटर

आजच्या काळात असा व्यावसायिक आणि जबाबदार प्रदाता शोधणे सोपे नाही.आशा आहे की आम्ही दीर्घकालीन सहकार्य राखू शकू.

मियामी कडून मॅक्सिन - 2017.06.16 18:23

उद्योगातील हा एंटरप्राइझ मजबूत आणि स्पर्धात्मक आहे, काळानुसार प्रगती करत आहे आणि शाश्वत विकसित होत आहे, आम्हाला सहकार्य करण्याची संधी मिळाल्याने आम्हाला खूप आनंद झाला आहे!

बेलीझमधून सारा - 2017.06.25 12:48