OEM उत्पादक पॉवर इलेक्ट्रॉनिक फिल्म कॅपेसिटर - IGBT पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स ऍप्लिकेशन्ससाठी उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म कॅपेसिटर डिझाइन - CRE

संक्षिप्त वर्णन:

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF म्हणून डाउनलोड करा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

अभिप्राय (2)

आम्ही उच्च-गुणवत्ता आणि प्रगती, व्यापार, महसूल आणि इंटरनेट विपणन आणि ऑपरेशनसाठी चांगली शक्ती प्रदान करतोउच्च व्होल्टेज पॉवर इलेक्ट्रॉनिक कॅपेसिटर , कमी इंडक्टन्स कॅपेसिटर , फिल्म कॅपेसिटर डिझाइन, आम्ही आमच्याशी संपर्क साधण्यासाठी आणि परस्पर फायद्यांसाठी सहकार्य मिळविण्यासाठी जगातील सर्व भागांतील ग्राहक, व्यावसायिक संघटना आणि मित्रांचे स्वागत करतो.

OEM उत्पादक पॉवर इलेक्ट्रॉनिक फिल्म कॅपेसिटर - IGBT पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स ऍप्लिकेशन्ससाठी उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म कॅपेसिटर डिझाइन - CRE तपशील:

तांत्रिक माहिती

ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी	कमाल.ऑपरेटिंग तापमान.,शीर्ष, कमाल: +105℃ उच्च श्रेणी तापमान: +85℃ निम्न श्रेणी तापमान: -40℃
कॅपेसिटन्स श्रेणी	0.1μF～5.6μF
प्रस्थापित दराचा विद्युतदाब	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
व्होल्टेजचा सामना करा	1.5Un DC/10S
अपव्यय घटक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिकार	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S वर)
स्ट्राइक करंटचा सामना करा	डेटाशीट पहा
ज्योत मंदता	UL94V-0
आयुर्मान	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
संदर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

तपशील सारणी

विद्युतदाब	अन 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आकारमान (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	235	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
1.5	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	420	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	400	1000	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	1140	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	1050	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	300	1050	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	1316	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	250	1400	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	1496	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	200	१६००	33
विद्युतदाब	अन 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आकारमान (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	1000	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	800	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	800	800	15
1.5	४२.५	33	45	6	24	७००	1050	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	1400	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	600	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	600	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	2000	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	420	1974	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	400	2240	32
विद्युतदाब	अन 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	1100	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	800	800	14
1.5	४२.५	33	45	5	20	800	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	600	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	420	1974	32
विद्युतदाब	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.33	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	611	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
1.5	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
1.5	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	1100	2200	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	1100	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	2100	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	600	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
विद्युतदाब	अन 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.22	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
0.33	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	1400	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	1100	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	५७.५	35	50	5	25	1000	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	800	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
विद्युतदाब	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.15	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
0.22	४२.५	33	45	15	27	2200	४८४	28
0.22	५७.५	35	50	15	25	2000	३३०	20
0.33	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	752	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन तपशील चित्रे:

संबंधित उत्पादन मार्गदर्शक:

"प्रामाणिकपणे, चांगला धर्म आणि उच्च गुणवत्ता हा एंटरप्राइझच्या विकासाचा पाया आहे" या नियमानुसार व्यवस्थापन कार्यक्रम नियमितपणे वाढवण्यासाठी, आम्ही आंतरराष्ट्रीय स्तरावर जोडलेल्या उत्पादनांचे सार मोठ्या प्रमाणात आत्मसात करतो आणि खरेदीदारांच्या मागणीचे समाधान करण्यासाठी सतत नवीन वस्तूंचे उत्पादन करतो. OEM उत्पादक पॉवर इलेक्ट्रॉनिक फिल्म कॅपेसिटरसाठी - IGBT पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स ऍप्लिकेशन्ससाठी उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म कॅपेसिटर डिझाइन - CRE , उत्पादन जगभरात पुरवठा करेल, जसे की: क्रोएशिया, मियामी, हंगेरी, आम्ही आता अगदी उत्सुक आहोत. परस्पर फायद्यांवर आधारित परदेशी ग्राहकांसह अधिक सहकार्य.आमची उत्पादने आणि सेवा सुधारण्यासाठी आम्ही मनापासून काम करणार आहोत.आमचे सहकार्य उच्च स्तरावर नेण्यासाठी आणि एकत्र यश सामायिक करण्यासाठी आम्ही व्यावसायिक भागीदारांसह संयुक्तपणे काम करण्याचे वचन देतो.आमच्या कारखान्याला भेट देण्यासाठी आपले मनापासून स्वागत आहे.

अक्षीय स्नबर फिल्म कॅपेसिटर

सानुकूल-डिझाइन केलेले एसी कॅपेसिटर

दंडगोलाकार प्लास्टिक केस कॅपेसिटर

ड्राय टाईप फिल्म कॅपेसिटर

Ess कॅपेसिटर

नवीन ऊर्जा उर्जा प्रणालीसाठी फिल्म कॅपेसिटर

उच्च-कार्यक्षमता एसी फिल्टरिंग कॅपेसिटर

इंडक्शन हीटिंग पॉवर सप्लाय कॅपेसिटर

सेल प्रोलिफेरेटरसाठी मेटलाइज्ड फिल्म कॅपेसिटर

स्नबर फिल्म कॅपेसिटर

आमच्या सहकार्य केलेल्या घाऊक विक्रेत्यांमध्ये, या कंपनीकडे सर्वोत्तम गुणवत्ता आणि वाजवी किंमत आहे, ते आमची पहिली पसंती आहेत.

क्रोएशिया कडून क्लेमेन ह्रोव्हट यांनी - 2018.08.12 12:27

या कंपनीची "उत्तम गुणवत्ता, कमी प्रक्रिया खर्च, किमती अधिक वाजवी" अशी कल्पना आहे, त्यामुळे त्यांच्याकडे स्पर्धात्मक उत्पादन गुणवत्ता आणि किंमत आहे, हेच मुख्य कारण आहे की आम्ही सहकार्य करण्याचे निवडले.

संयुक्त अरब अमिरातीमधून जॉन बिडलस्टोन द्वारे - 2018.09.21 11:01