IGBT पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स ऍप्लिकेशन्ससाठी उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म कॅपेसिटर डिझाइन

संक्षिप्त वर्णन:

IGBT स्नबर SMJ-P

1. प्लास्टिक केस, राळ सह सीलबंद;

2. टिन-प्लेटेड कॉपर इन्सर्ट लीड्स, IGBT साठी सोपे इंस्टॉलेशन;

3. उच्च व्होल्टेजचा प्रतिकार, कमी tgδ, कमी तापमान वाढ;

4. कमी ESL आणि ESR;

5. उच्च नाडी प्रवाह.

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF म्हणून डाउनलोड करा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

तांत्रिक माहिती

ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी	कमाल.ऑपरेटिंग तापमान.,शीर्ष, कमाल: +105℃ उच्च श्रेणी तापमान: +85℃ निम्न श्रेणी तापमान: -40℃
कॅपेसिटन्स श्रेणी	0.1μF～5.6μF
प्रस्थापित दराचा विद्युतदाब	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
व्होल्टेजचा सामना करा	1.5Un DC/10S
अपव्यय घटक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिकार	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर) C>0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S वर)
स्ट्राइक करंटचा सामना करा	डेटाशीट पहा
ज्योत मंदता	UL94V-0
आयुर्मान	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
संदर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

तपशील सारणी

विद्युतदाब	अन 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आकारमान (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	235	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
1.5	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	420	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	400	1000	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	1140	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	1050	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	300	1050	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	1316	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	250	1400	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	1496	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	200	१६००	33
विद्युतदाब	अन 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आकारमान (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	1000	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	800	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	800	800	15
1.5	४२.५	33	45	6	24	७००	1050	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	1400	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	600	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	600	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	2000	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	420	1974	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	400	2240	32
विद्युतदाब	अन 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	1100	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	800	800	14
1.5	४२.५	33	45	5	20	800	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	600	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	420	1974	32
विद्युतदाब	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.33	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	611	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
1.5	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
1.5	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	1100	2200	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	1100	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	2100	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	600	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
विद्युतदाब	अन 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.22	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
0.33	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	1400	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	1100	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	५७.५	35	50	5	25	1000	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	800	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
विद्युतदाब	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.15	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
0.22	४२.५	33	45	15	27	2200	४८४	28
0.22	५७.५	35	50	15	25	2000	३३०	20
0.33	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	752	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28