वेल्डिंग मशीनसाठी उच्च-वर्तमान फिल्म कॅपेसिटर स्नबर (SMJ-TC)

संक्षिप्त वर्णन:

कॅपेसिटर मॉडेल: SMJ-TC

वैशिष्ट्ये:

1. कॉपर नट्स इलेक्ट्रोड

2. लहान भौतिक आकार आणि सुलभ स्थापना

3. Mylar टेप वळण तंत्रज्ञान

4. कोरड्या राळ भरणे

5. कमी समतुल्य मालिका इंडक्टन्स (ESL) आणि समतुल्य मालिका प्रतिरोध (ESR)

अर्ज:

1. GTO स्नबर

2. पीक व्होल्टेज आणि पीक वर्तमान शोषण आणि इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमधील घटक स्विचिंगसाठी संरक्षण

स्विचिंग सर्किटमध्ये वापरल्या जाणाऱ्या डायोडसाठी स्नबर सर्किट आवश्यक आहेत.हे ओव्हरव्होल्टेज स्पाइक्सपासून डायोड वाचवू शकते, जे उलट पुनर्प्राप्ती प्रक्रियेदरम्यान उद्भवू शकते.

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF म्हणून डाउनलोड करा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

तांत्रिक माहिती

ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी	कमाल.ऑपरेटिंग तापमान., शीर्ष, कमाल: + 85℃ उच्च श्रेणी तापमान: +85℃ निम्न श्रेणी तापमान: -40℃
कॅपेसिटन्स श्रेणी	0.22～3μF
प्रस्थापित दराचा विद्युतदाब	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
व्होल्टेजचा सामना करा	1.35Un DC/10S
अपव्यय घटक	tgδ≤0.001 f=1KHz
इन्सुलेशन प्रतिकार	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S वर)
स्ट्राइक करंटचा सामना करा	डेटाशीट पहा
आयुर्मान	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
संदर्भ मानक	IEC 61071 ;

वैशिष्ट्य

1. Mylar टेप, राळ सह सीलबंद;

2. कॉपर नट लीड्स;

3. उच्च व्होल्टेजचा प्रतिकार, कमी tgδ, कमी तापमान वाढ;

4. कमी ESL आणि ESR;

5. उच्च नाडी प्रवाह.

अर्ज

1. GTO स्नबर.

2. पीक व्होल्टेज, पीक वर्तमान शोषण संरक्षण तेव्हा पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.

ठराविक सर्किट

बाह्यरेखा रेखाचित्र

तपशील

अन=3000V.DC
कॅपेसिटन्स (μF)	φD (मिमी)	एल(मिमी)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	३३०	35
०.४७	51	44	52	22	८५०	399	45
०.६८	61	44	52	22	800	५४४	55
१	74	44	52	20	७००	७००	65
१.२	80	44	52	20	६५०	७८०	75
1.5	52	70	84	30	600	९००	45
२.०	60	70	84	30	५००	1000	55
३.०	73	70	84	30	400	१२००	65
४.०	83	70	84	30	३५०	1400	70
अन=6000V.DC
कॅपेसिटन्स (μF)	φD (मिमी)	एल(मिमी)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	१५००	३३०	35
0.33	52	60	72	25	१२००	३९६	45
०.४७	62	60	72	25	1000	४७०	50
०.६८	74	60	72	22	९००	६१२	60
१	90	60	72	22	800	९००	75

अन=7000V.DC
कॅपेसिटन्स (μF)	φD (मिमी)	एल(मिमी)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
०.६८	36	80	92	28	1000	६८०	25
१.०	43	80	92	28	८५०	८५०	30
1.5	52	80	92	25	800	१२००	35
१.८	57	80	92	25	७००	१२६०	40
२.०	60	80	92	23	६५०	१३००	45
३.०	73	80	92	22	५००	१५००	50

अन=8000V.DC
कॅपेसिटन्स(μF)	φD (मिमी)	एल(मिमी)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	३६३	25
०.४७	41	90	102	28	1000	४७०	30
०.६८	49	90	102	28	८५०	५७८	35
१	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	७००	1050	45
२.०	83	90	102	25	६५०	१३००	50

अन=10000V.DC
कॅपेसिटन्स (μF)	φD (मिमी)	एल(मिमी)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	१५००	४९५	30
०.४७	54	114	123	35	१३००	611	35
०.६८	65	114	123	35	१२००	८१६	40
१	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	१२००	70