Igbt साठी स्नबर कॅपेसिटर बनवण्याचा कारखाना - IGBT ऍप्लिकेशनसाठी पॉलीप्रॉपिलीन फिल्म स्नबर कॅपेसिटरचे कमी नुकसान डायलेक्ट्रिक - CRE

संक्षिप्त वर्णन:

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF म्हणून डाउनलोड करा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

अभिप्राय (2)

चांगली चालणारी उत्पादने, कुशल उत्पन्न गट आणि विक्रीनंतरची उत्तम उत्पादने आणि सेवा;आम्ही एक एकत्रित विशाल कुटुंब देखील आहोत, सर्व लोक "एकीकरण, समर्पण, सहिष्णुता" या व्यवसायाच्या किमतीला चिकटून राहतातबॅटरी चार्जिंग सिस्टमसाठी डीसी कॅपेसिटर , दंडगोलाकार प्लास्टिक केस कॅपेसिटर , मेटलाइज्ड पीपी फिल्म कॅपेसिटर, पाहून विश्वास बसतो!संस्था संघटना बांधण्यासाठी आम्ही परदेशातील नवीन क्लायंटचे मनापासून स्वागत करतो आणि दीर्घकाळ प्रस्थापित संभावनांचा वापर करून संघटनांचे एकत्रीकरण करण्याची आशा करतो.

Igbt साठी स्नबर कॅपेसिटर बनवण्याचा कारखाना - IGBT ऍप्लिकेशनसाठी पॉलीप्रॉपिलीन फिल्म स्नबर कॅपेसिटरचे कमी नुकसान डायलेक्ट्रिक - CRE तपशील:

SMJ-P मालिका

रेटेड व्होल्टेज श्रेणी: 1000 VDC ते 2000 VDC
कॅपेसिटन्स श्रेणी: 0.1 uf ते 3.0 uf
माउंटिंग पिच: 22.5 मिमी ते 48 मिमी
बांधकाम : मेटलाइज्ड पॉलीप्रोपीलीन डायलेक्ट्रिक अंतर्गत मालिका कनेक्शन
अर्ज: IGBT संरक्षण, रेझोनान्स टँक सर्किट्स

सेल्फ-हीलिंग, ड्राय-टाइप, स्नबर कॅपेसिटर एलिमेंट्स खास प्रोफाइल केलेल्या, वेव्ह कट मेटालाइज्ड पीपी फिल्म वापरून तयार केले जातात जे कमी सेल्फ-इंडक्टन्स, उच्च फाटणे प्रतिरोध आणि उच्च विश्वासार्हता सुनिश्चित करते.ओव्हर-प्रेशर डिस्कनेक्शन आवश्यक मानले जात नाही.कॅपेसिटर टॉप स्वयं-विझवणाऱ्या इको-फ्रेंडली इपॉक्सीने सील केलेला आहे.विशेष डिझाइन अत्यंत कमी स्वयंप्रेरणा सुनिश्चित करते.

IMG_0397.HEIC

तपशील सारणी

विद्युतदाब	अन 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आकारमान (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	235	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
1.5	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	420	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	400	1000	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	1140	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	1050	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	300	1050	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	1316	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	250	1400	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	1496	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	200	१६००	33

विद्युतदाब	अन 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आकारमान (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	1000	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	800	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	800	800	15
1.5	४२.५	33	45	6	24	७००	1050	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	1400	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	600	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	600	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	2000	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	420	1974	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	400	2240	32

विद्युतदाब	अन 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	1100	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	800	800	14
1.5	४२.५	33	45	5	20	800	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	600	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	420	1974	32

विद्युतदाब	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.33	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	611	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
1.5	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
1.5	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	1100	2200	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	1100	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	2100	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	600	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32

विद्युतदाब	अन 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.22	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
0.33	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	1400	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	1100	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	५७.५	35	50	5	25	1000	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	800	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32

विद्युतदाब	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	इर्म्स
0.15	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
0.22	४२.५	33	45	15	27	2200	४८४	28
0.22	५७.५	35	50	15	25	2000	३३०	20
0.33	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	752	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन तपशील चित्रे:

संबंधित उत्पादन मार्गदर्शक:

कराराचे पालन करा", बाजाराच्या गरजेनुसार, बाजारातील स्पर्धेमध्ये त्याच्या उत्कृष्ट गुणवत्तेने सामील व्हा, तसेच खरेदीदारांना अधिक व्यापक आणि उत्कृष्ट कंपनी प्रदान करते ज्यामुळे त्यांना प्रचंड विजेते म्हणून विकसित करता येते. कॉर्पोरेशनचा पाठपुरावा, निश्चितपणे ग्राहकांचा असतो. ' Igbt साठी स्नबर कॅपेसिटर बनवण्याच्या फॅक्टरीबद्दल समाधान - IGBT ऍप्लिकेशनसाठी पॉलीप्रॉपिलीन फिल्म स्नबर कॅपेसिटरचे कमी नुकसान डायलेक्ट्रिक - CRE , उत्पादन जगभरात पुरवठा करेल, जसे की: प्रोव्हन्स, ओस्लो, इक्वाडोर, आमच्याकडून वर्तमान उत्पादन निवडत आहे की नाही कॅटलॉग किंवा तुमच्या अर्जासाठी अभियांत्रिकी सहाय्य शोधत आहात, तुम्ही आमच्या ग्राहक सेवा केंद्राशी तुमच्या सोर्सिंग आवश्यकतांबद्दल बोलू शकता आम्ही तुम्हाला वैयक्तिकरित्या स्पर्धात्मक किंमतीसह चांगली गुणवत्ता प्रदान करू शकतो.

Ac फिल्म कॅपेसिटर बँक

एसी पॉवर सप्लाय कॅपेसिटर

कॉम्पॅक्ट डिझाइन फिल्म कॅपेसिटर

सानुकूल फिल्म कॅपेसिटर

नूतनीकरणक्षम ऊर्जा प्रणालींसाठी डीसी-लिंक कॅपेसिटर

इलेक्ट्रॉनिक कॅपेसिटर

पीव्ही इन्व्हर्टरसाठी डिझाइन केलेले फिल्म कॅपेसिटर

उच्च कार्यक्षमता फिल्म कॅपेसिटर

इन्व्हर्टर डीसी लिंक कॅपेसिटर

उल मंजूर फिल्म कॅपेसिटर

फॅक्टरी उपकरणे उद्योगात प्रगत आहेत आणि उत्पादन उत्तम कारागीर आहे, शिवाय किंमत खूप स्वस्त आहे, पैशासाठी मूल्य आहे!

स्लोव्हाकियाहून सबरीना यांनी - 2017.08.28 16:02

सेल्स मॅनेजरकडे चांगले इंग्रजी स्तर आणि कुशल व्यावसायिक ज्ञान आहे, आमच्याकडे चांगला संवाद आहे.तो एक प्रेमळ आणि आनंदी माणूस आहे, आमचे एक आनंददायी सहकार्य आहे आणि आम्ही खाजगीत खूप चांगले मित्र झालो.

अँगुइला वरून माईक - 2018.09.08 17:09