• bbb

चीनी घाऊक उच्च-कार्यक्षमता एसी फिल्टरिंग कॅपेसिटर - अक्षीय GTO स्नबर कॅपेसिटर - CRE

संक्षिप्त वर्णन:


उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

संबंधित व्हिडिओ

अभिप्राय (2)

आम्ही तुम्हाला उच्च-गुणवत्तेची उत्पादने आणि उपाय, स्पर्धात्मक दर आणि अतिशय उत्तम खरेदीदार सपोर्ट सहज देऊ शकतो.आमचे गंतव्यस्थान आहे "तुम्ही इथे अडचणीने आलात आणि आम्ही तुम्हाला घेऊन जाण्यासाठी एक स्मित देतो".स्नबर फिल्म कॅपेसिटर , वैद्यकीय उपकरणांसाठी डीसी कॅपेसिटर , नवीन ऊर्जा उर्जा प्रणालीसाठी फिल्म कॅपेसिटर, उत्कृष्ट गुणवत्ता आणि स्पर्धात्मक किंमतीमुळे, आम्ही बाजारातील आघाडीवर असू, कृपया आमच्या कोणत्याही उत्पादनांमध्ये स्वारस्य असल्यास, फोन किंवा ईमेलद्वारे आमच्याशी संपर्क साधण्यास अजिबात संकोच करू नका.
चीनी घाऊक उच्च-कार्यक्षमता Ac फिल्टरिंग कॅपेसिटर - अक्षीय GTO स्नबर कॅपेसिटर - CRE तपशील:

तांत्रिक माहिती

ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी कमाल.ऑपरेटिंग तापमान., शीर्ष, कमाल: + 85℃ उच्च श्रेणी तापमान: +85℃ निम्न श्रेणी तापमान: -40℃
कॅपेसिटन्स श्रेणी 0.1μF~5.6μF
प्रस्थापित दराचा विद्युतदाब

630V.DC~2000V.DC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

व्होल्टेजचा सामना करा

1.5Un DC/10S

अपव्यय घटक

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

इन्सुलेशन प्रतिकार

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S वर)

स्ट्राइक करंटचा सामना करा
आयुर्मान

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

संदर्भ मानक

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

अर्ज

1. IGBT स्नबर.

2. पीक व्होल्टेज, पीक वर्तमान शोषण संरक्षण तेव्हा पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.

बाह्यरेखा रेखाचित्र

 

१

 

 

 

 

SMJ-TE अक्षीय कॅपेसिटर
विद्युतदाब Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
क्षमता(uF) एल (मिमी±1) टी (मिमी±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22 32 ९.५ १७.५ ०.८ 16 23 300 66 ५.३
0.33 32 12 20 13 22 200 66 ६.५
०.४७ 32 १४.५ 22.5 11 21 220 १०३.४ ८.३
०.६८ 32 18 26 10 20 180 १२२.४ ९.५
37 11 19 8 28 150 150 ७.६
1.5 37 १३.५ २१.५ 7 27 150 225 ९.५
2 37 16 24 १.२ 6 24 130 260 १०.२
२.५ 37 18 26 १.२ ५.५ 25 120 300 १०.५
3 37 20 28 १.२ 5 30 110 ३३० १०.८
३.३ 37 21 29 १.२ ४.५ 30 110 ३६३ 11.2
4 57 27 ३६.५ १.२ ४.२ 32 220 ८८० १२.८
४.७ 57 28 40.5 १.२ ३.८ 32 200 ९४० १३.८
५.६ 57 31 ३३.५ १.२ ३.५ 32 १८५ 1036 १३.५
६.८ 37 29 ४१.५ १.२ २.५ 28 100 ६८० १३.८
६.८ 57 34 ४६.५ १.२ २.८ 30 180 १२२४ 14.2

 

विद्युतदाब अन 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
क्षमता(uF) एल (मिमी±1) टी (मिमी±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15 32 10 १७.५ ०.८ 20 20 1100 १६५ ५.५
0.22 32 12 20 15 21 1000 220 ७.३
0.33 32 १५.५ 23 13 21 1000 ३३० ८.७
०.४७ 32 १८.५ 26 १.२ 10 23 1000 ४७० १०.५
०.४७ 44 14 22 १.२ 9 24 ९०० ४२३ ९.५
०.६८ 32 20 ३२.५ १.२ 7 25 ९०० ६१२ १०.८
०.६८ 44 17 25 १.२ 6 26 800 ५४४ १०.२
44 २१.५ 29.5 १.२ ५.६ 27 ९०० ९०० 11
1.5 44 26 35.5 १.२ 5 29 ९०० 1350 12
1.5 57 21 29 १.२ 5 30 ७०० 1050 १२.२
2 44 28 40.5 १.२ ४.८ 30 800 १६०० १३.२
2 57 24 ३३.५ १.२ ४.८ 32 600 १२०० १२.८
२.२ 44 30 ४२.५ १.२ ४.२ 32 600 1320 १३.८
२.२ 57 25 ३४.५ १.२ ४.२ 32 ५०० 1100 १३.५
२.५ 57 25 38 १.२ 4 33 ५०० १२५० 14.2
3 57 28 40.5 १.२ ३.५ 34 ४८० १४४० १५.६
३.३ 57 29.5 42 १.२ ३.२ 35 ४५० १४८५ १६.५
३.५ 57 ३०.५ 43 १.२ ३.२ 35 ४५० १५७५ १७.२
४.७ 57 35 ५०.५ १.२ 3 36 420 1974 १७.८
५.६ 57 ३८.५ 65 १.२ २.८ 38 400 2240 १८.२

 

विद्युतदाब अन 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
क्षमता(uF) एल (मिमी±1) टी (मिमी±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१ 32 ८.५ 16 ०.८ 20 20 १३०० 130 6
0.15 32 10 १७.५ 18 20 १२०० 180 ७.५
0.22 32 13 21 15 22 १२०० २६४ ८.३
0.33 32 16 24 12 23 १२०० ३९६ 9
०.४७ 32 १७.५ 30 १.२ 10 23 १२०० ५६४ ९.५
०.४७ 44 15 23 १.२ 9 26 1100 ५१७ ९.८
०.६८ 32 २१.५ 34 १.२ 8 25 1100 ५१७ 10
०.६८ 44 १८.५ २६.५ १.२ 6 27 1000 ६८० ११.७
44 23 31 १.२ 5 28 1000 1000 १२.४
1.5 44 २६.५ 39 १.२ 5 30 ९५० १४२५ १३.५
1.5 57 22.5 ३०.५ १.२ 5 29 ९०० 1350 १२.६
2 44 29 45 १.२ 5 30 800 १६०० 14.2
2 57 २६.५ ३४.५ १.२ ४.८ 30 ७५० १५०० १३.८
२.२ 44 31 47 १.२ ४.२ 32 800 १७६० १४.५
२.२ 57 २७.५ 35.5 १.२ ४.२ 35 ७०० १५४० १४.५
3 57 29 ४४.५ १.२ ३.२ 37 ५०० १५०० १७.२
३.३ 57 ३०.५ 46 १.२ ३.२ 38 ४५० १४८५ १७.८
४.७ 57 38 ५३.५ १.२ 3 38 420 1974 १८.२

 

विद्युतदाब अन 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
क्षमता(uF) एल (मिमी±1) टी (मिमी±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१ 32 ९.५ १७.५ ०.८ 18 25 १३०० 130 ७.५
0.15 32 12 20 16 24 १२०० 180 ८.५
0.22 32 15 23 15 24 १२०० २६४ ९.३
0.33 32 १८.५ २६.५ 12 22 १२०० ३९६ ९.९
0.33 44 १३.५ २१.५ १.२ 12 29 1100 ३६३ १०.२
०.४७ 44 16 24 १.२ 9 28 1000 ४७० 11.2
०.६८ 44 20 28 १.२ 8 27 1000 ६८० ११.७
44 24 ३३.५ १.२ ५.६ 26 ९०० ९०० १२.४
57 १९.५ २७.५ १.२ 6 33 ८५० ८५० १०.८
1.5 44 28 40.5 १.२ ४.८ 25 800 १२०० १३.५
1.5 57 24 32 १.२ 5 33 ७५० 1125 १३.५
2 44 ३१.५ 47 १.२ ४.५ 24 ७५० १५०० 14.2
2 57 २७.५ 37 १.२ ४.८ 32 ६५० १३०० १२.८
२.२ 44 ३३.५ 49 १.२ ४.५ 34 ७०० १५४० १५.६
२.२ 57 29 40 १.२ ४.२ 32 600 1320 १४.५
3 57 31 ४६.५ १.२ 4 30 ५६० १६८० १७.२
३.३ 57 33 ४८.५ १.२ ३.२ 29 ५०० १६५० १७.६
4 57 37 ५२.५ १.२ 3 28 ४५० १८०० १८.२

 

विद्युतदाब अन 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
क्षमता(uF) एल (मिमी±1) टी (मिमी±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०६८ 32 9 17 ०.८ 25 23 १५०० 102 ६.९
०.१ 32 11.5 १९.५ 18 22 १५०० 150 ८.२
०.१ 37 १०.५ १८.५ 18 26 १४५० 145 8
0.22 32 १७.५ २५.५ १.२ 15 21 1400 308 ९.१
0.22 37 16 24 १.२ 15 25 १३०० २८६ 9
0.33 37 20 28 १.२ 12 24 १२५० ४१२.५ ९.५
0.33 44 18 26 १.२ 12 30 १२०० ३९६ १०.२
०.४७ 44 १९.५ 32 १.२ 10 29 1100 ५१७ १२.४
०.६८ 44 24 ३६.५ १.२ 8 28 1000 ६८० 14.2
०.६८ 57 १८.५ 31 १.२ 8 27 ९०० ६१२ 14.2
57 २३.५ 36 १.२ 6 31 ९५० ९५० १४.५
1.5 57 29.5 42 १.२ 5 31 ८५० १२७५ १४.५
2 57 33 ४८.५ १.२ ४.२ 31 ७५० १५०० १६.५
२.२ 57 35 ५०.५ १.२ 4 30 ७०० १५४० १७.८

 

विद्युतदाब अन 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
क्षमता(uF) एल (मिमी±1) टी (मिमी±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०४७ 44 १३.५ २१.५ 22 20 2000 94 ८.५
०.०६८ 44 17 25 20 20 १८०० १२२.४ १०.५
०.१ 44 २०.५ २८.५ १.२ 18 20 १५०० 150 १२.४
0.15 44 26 34 १.२ 16 22 1350 २०२.५ १३.८
0.22 44 29 ४१.५ १.२ १४.५ 22 १२०० २६४ १४.५

उत्पादन तपशील चित्रे:

चीनी घाऊक उच्च-कार्यक्षमता एसी फिल्टरिंग कॅपेसिटर - अक्षीय GTO स्नबर कॅपेसिटर - CRE तपशील चित्रे

चीनी घाऊक उच्च-कार्यक्षमता एसी फिल्टरिंग कॅपेसिटर - अक्षीय GTO स्नबर कॅपेसिटर - CRE तपशील चित्रे

चीनी घाऊक उच्च-कार्यक्षमता एसी फिल्टरिंग कॅपेसिटर - अक्षीय GTO स्नबर कॅपेसिटर - CRE तपशील चित्रे


संबंधित उत्पादन मार्गदर्शक:

आमच्या नावीन्यपूर्ण, परस्पर सहकार्य, फायदे आणि प्रगतीच्या भावनेसह आमच्या आघाडीच्या तंत्रज्ञानासह, आम्ही चीनी घाऊक उच्च-कार्यक्षमता Ac फिल्टरिंग कॅपेसिटर - अक्षीय GTO स्नबर कॅपेसिटर - CRE साठी तुमच्या प्रतिष्ठित फर्मसह एकमेकांसोबत एक समृद्ध भविष्य घडवू. , उत्पादन जगभर पुरवले जाईल, जसे की: झुरिच, दोहा, जर्सी, 11 वर्षात, आम्ही 20 हून अधिक प्रदर्शनांमध्ये भाग घेतला आहे, प्रत्येक ग्राहकाकडून सर्वाधिक प्रशंसा मिळवली आहे.आमची कंपनी नेहमीच ग्राहकांना कमीत कमी किमतीत सर्वोत्तम उत्पादने प्रदान करण्याचे ध्येय ठेवते.ही विजयी परिस्थिती साध्य करण्यासाठी आम्ही खूप प्रयत्न करत आहोत आणि आमच्यात सामील होण्यासाठी तुमचे मनापासून स्वागत आहे.आमच्यात सामील व्हा, तुमचे सौंदर्य दाखवा.आम्ही नेहमीच तुमची पहिली पसंती असू.आमच्यावर विश्वास ठेवा, तुम्ही कधीही हार मानणार नाही.
  • उत्पादनाची विविधता पूर्ण, दर्जेदार आणि स्वस्त आहे, वितरण जलद आहे आणि वाहतूक सुरक्षितता आहे, खूप चांगली आहे, आम्हाला एका प्रतिष्ठित कंपनीला सहकार्य करण्यात आनंद होत आहे! 5 तारे पोर्टो मधील एलेन द्वारे - 2017.04.08 14:55
    उत्पादनांची गुणवत्ता खूप चांगली आहे, विशेषत: तपशीलांमध्ये, हे पाहिले जाऊ शकते की कंपनी ग्राहकांचे स्वारस्य पूर्ण करण्यासाठी सक्रियपणे कार्य करते, एक छान पुरवठादार. 5 तारे Eileen द्वारे इक्वाडोर - 2018.10.31 10:02

    तुमचा संदेश आम्हाला पाठवा:

    तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा

    तुमचा संदेश आम्हाला पाठवा: