अक्षीय GTO स्नबर कॅपेसिटर

संक्षिप्त वर्णन:

हे कॅपेसिटर सामान्यतः जीटीओ संरक्षणामध्ये मिळणाऱ्या जड वर्तमान डाळींचा सामना करण्यासाठी योग्य आहेत.अक्षीय जोडणी मालिका इंडक्टन्स कमी करण्यास आणि मजबूत यांत्रिक माउंटिंग विश्वसनीय विद्युत संपर्क आणि सेवा दरम्यान उत्पादित उष्णतेचे चांगले थर्मल अपव्यय प्रदान करण्यास अनुमती देतात.

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF म्हणून डाउनलोड करा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

तांत्रिक माहिती

ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी	-40℃ ते +85℃
कॅपेसिटन्स श्रेणी	0.1μF～5.6μF
प्रस्थापित दराचा विद्युतदाब	630V.DC～2000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
व्होल्टेजचा सामना करा	1.5Un DC/10S
अपव्यय घटक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिकार	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S वर) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S वर)
स्ट्राइक करंटचा सामना करा	डेटाशीट पहा
आयुर्मान	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
संदर्भ मानक	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

अर्ज

1. IGBT स्नबर, GTO स्नबर

2. पीक व्होल्टेज, पीक वर्तमान शोषण संरक्षण तेव्हा पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.

बाह्यरेखा रेखाचित्र

SMJ-TE अक्षीय कॅपेसिटर
विद्युतदाब		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	९.५	१७.५	०.८	16	23	300	66	५.३
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	६.५
०.४७	32	१४.५	22.5	1	11	21	220	१०३.४	८.३
०.६८	32	18	26	1	10	20	180	१२२.४	९.५
1	37	11	19	1	8	28	150	150	७.६
1.5	37	१३.५	२१.५	1	7	27	150	225	९.५
2	37	16	24	१.२	6	24	130	260	१०.२
२.५	37	18	26	१.२	५.५	25	120	300	१०.५
3	37	20	28	१.२	5	30	110	३३०	१०.८
३.३	37	21	29	१.२	४.५	30	110	३६३	11.2
4	57	27	३६.५	१.२	४.२	32	220	८८०	१२.८
४.७	57	28	40.5	१.२	३.८	32	200	९४०	१३.८
५.६	57	31	३३.५	१.२	३.५	32	१८५	1036	१३.५
६.८	37	29	४१.५	१.२	२.५	28	100	६८०	१३.८
६.८	57	34	४६.५	१.२	२.८	30	180	१२२४	14.2
विद्युतदाब		अन 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	१७.५	०.८	20	20	1100	१६५	५.५
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	७.३
0.33	32	१५.५	23	1	13	21	1000	३३०	८.७
०.४७	32	१८.५	26	१.२	10	23	1000	४७०	१०.५
०.४७	44	14	22	१.२	9	24	९००	४२३	९.५
०.६८	32	20	३२.५	१.२	7	25	९००	६१२	१०.८
०.६८	44	17	25	१.२	6	26	800	५४४	१०.२
1	44	२१.५	29.5	१.२	५.६	27	९००	९००	11
1.5	44	26	35.5	१.२	5	29	९००	1350	12
1.5	57	21	29	१.२	5	30	७००	1050	१२.२
2	44	28	40.5	१.२	४.८	30	800	१६००	१३.२
2	57	24	३३.५	१.२	४.८	32	600	१२००	१२.८
२.२	44	30	४२.५	१.२	४.२	32	600	1320	१३.८
२.२	57	25	३४.५	१.२	४.२	32	५००	1100	१३.५
२.५	57	25	38	१.२	4	33	५००	१२५०	14.2
3	57	28	40.5	१.२	३.५	34	४८०	१४४०	१५.६
३.३	57	29.5	42	१.२	३.२	35	४५०	१४८५	१६.५
३.५	57	३०.५	43	१.२	३.२	35	४५०	१५७५	१७.२
४.७	57	35	५०.५	१.२	3	36	420	1974	१७.८
५.६	57	३८.५	65	१.२	२.८	38	400	2240	१८.२
विद्युतदाब		अन 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१	32	८.५	16	०.८	20	20	१३००	130	6
0.15	32	10	१७.५	1	18	20	१२००	180	७.५
0.22	32	13	21	1	15	22	१२००	२६४	८.३
0.33	32	16	24	1	12	23	१२००	३९६	9
०.४७	32	१७.५	30	१.२	10	23	१२००	५६४	९.५
०.४७	44	15	23	१.२	9	26	1100	५१७	९.८
०.६८	32	२१.५	34	१.२	8	25	1100	५१७	10
०.६८	44	१८.५	२६.५	१.२	6	27	1000	६८०	११.७
1	44	23	31	१.२	5	28	1000	1000	१२.४
1.5	44	२६.५	39	१.२	5	30	९५०	१४२५	१३.५
1.5	57	22.5	३०.५	१.२	5	29	९००	1350	१२.६
2	44	29	45	१.२	5	30	800	१६००	14.2
2	57	२६.५	३४.५	१.२	४.८	30	७५०	१५००	१३.८
२.२	44	31	47	१.२	४.२	32	800	१७६०	१४.५
२.२	57	२७.५	35.5	१.२	४.२	35	७००	१५४०	१४.५
3	57	29	४४.५	१.२	३.२	37	५००	१५००	१७.२
३.३	57	३०.५	46	१.२	३.२	38	४५०	१४८५	१७.८
४.७	57	38	५३.५	१.२	3	38	420	1974	१८.२
विद्युतदाब		अन 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१	32	९.५	१७.५	०.८	18	25	१३००	130	७.५
0.15	32	12	20	1	16	24	१२००	180	८.५
0.22	32	15	23	1	15	24	१२००	२६४	९.३
0.33	32	१८.५	२६.५	1	12	22	१२००	३९६	९.९
0.33	44	१३.५	२१.५	१.२	12	29	1100	३६३	१०.२
०.४७	44	16	24	१.२	9	28	1000	४७०	11.2
०.६८	44	20	28	१.२	8	27	1000	६८०	११.७
1	44	24	३३.५	१.२	५.६	26	९००	९००	१२.४
1	57	१९.५	२७.५	१.२	6	33	८५०	८५०	१०.८
1.5	44	28	40.5	१.२	४.८	25	800	१२००	१३.५
1.5	57	24	32	१.२	5	33	७५०	1125	१३.५
2	44	३१.५	47	१.२	४.५	24	७५०	१५००	14.2
2	57	२७.५	37	१.२	४.८	32	६५०	१३००	१२.८
२.२	44	३३.५	49	१.२	४.५	34	७००	१५४०	१५.६
२.२	57	29	40	१.२	४.२	32	600	1320	१४.५
3	57	31	४६.५	१.२	4	30	५६०	१६८०	१७.२
३.३	57	33	४८.५	१.२	३.२	29	५००	१६५०	१७.६
4	57	37	५२.५	१.२	3	28	४५०	१८००	१८.२
विद्युतदाब		अन 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०६८	32	9	17	०.८	25	23	१५००	102	६.९
०.१	32	11.5	१९.५	1	18	22	१५००	150	८.२
०.१	37	१०.५	१८.५	1	18	26	१४५०	145	8
0.22	32	१७.५	२५.५	१.२	15	21	1400	308	९.१
0.22	37	16	24	१.२	15	25	१३००	२८६	9
0.33	37	20	28	१.२	12	24	१२५०	४१२.५	९.५
0.33	44	18	26	१.२	12	30	१२००	३९६	१०.२
०.४७	44	१९.५	32	१.२	10	29	1100	५१७	१२.४
०.६८	44	24	३६.५	१.२	8	28	1000	६८०	14.2
०.६८	57	१८.५	31	१.२	8	27	९००	६१२	14.2
1	57	२३.५	36	१.२	6	31	९५०	९५०	१४.५
1.5	57	29.5	42	१.२	5	31	८५०	१२७५	१४.५
2	57	33	४८.५	१.२	४.२	31	७५०	१५००	१६.५
२.२	57	35	५०.५	१.२	4	30	७००	१५४०	१७.८
विद्युतदाब		अन 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
क्षमता(uF)	एल (मिमी±1)	टी (मिमी±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०४७	44	१३.५	२१.५	1	22	20	2000	94	८.५
०.०६८	44	17	25	1	20	20	१८००	१२२.४	१०.५
०.१	44	२०.५	२८.५	१.२	18	20	१५००	150	१२.४
0.15	44	26	34	१.२	16	22	1350	२०२.५	१३.८
0.22	44	29	४१.५	१.२	१४.५	22	१२००	२६४	१४.५